CMH50N20是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON），抗沖擊能力強，廣泛應用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等電路中。

CMSA010N04是Cmos自己研發的柵極多層分割槽工藝制造的一款分離半導體器件。

CMD079N10是采用Cmos半導體成熟工藝開發的一款綜合性能優異的MOSFET,用在電源產品中的同步整流模塊效果十分理想。

CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，提供優秀的RDS(ON)和極低門電荷。

CMP107N20是采用Cmos柵極多級分割優化溝槽工藝研發的N溝道金屬氧化物半導體場效應管，設計理念追求高能效、綠色和可持續發展。