行綠色發展，創工匠品質
一、國家政策
二O二一年十月二十四日，為深入貫徹落實黨中央、國務院關于碳達峰、碳中和的重大戰略決策，扎實推進碳達峰行動，國務院制定并印發我國《2030年前碳達峰行動方案》。該方案是以習近平新時代中國特色社會主義思想為指導，深入貫徹習近平生態文明思想，立足新發展階段，完整、準確、全面貫徹新發展理念，構建新發展格局，堅持系統觀念，處理好發展和減排、整體和局部、短期和中長期的關系，統籌穩增長和調結構，把碳達峰、碳中和納入經濟社會發展全局中來，有力有序有效做好碳達峰工作，明確了各地區、各領域、各行業目標任務，加快實現生產生活方式綠色變革，推動經濟社會發展建立在資源高效利用和綠色低碳發展的基礎之上，確保如期實現2030年前碳達峰目標。
“十四五”期間，我國的主要目標是產業結構和能源結構調整優化取得明顯進展，重點行業能源利用效率大幅提升，煤炭消費增長得到嚴格控制，新型電力系統加快構建，綠色低碳技術研發和推廣應用取得新進展，綠色生產生活方式得到普遍推行，有利于綠色低碳循環發展的政策體系進一步完善。
能源是經濟社會發展的重要物質基礎，也是碳排放的最主要來源。要堅持安全降碳，在保障能源安全的前提下，大力實施可再生能源替代，加快構建清潔低碳安全高效的能源體系。加快建設新型電力系統。構建新能源占比逐漸提高的新型電力系統，推動清潔電力資源大范圍優化配置。積極發展“新能源+儲能”、源網荷儲一體化和多能互補，支持分布式新能源合理配置儲能系統。加快新型儲能示范推廣應用。深化電力體制改革，加快構建全國統一電力市場體系。到2025年，新型儲能裝機容量達到3000萬千瓦以上。到2030年，抽水蓄能電站裝機容量達到1.2億千瓦左右，省級電網基本具備5%以上的尖峰負荷響應能力。
二、企業使命
綠色發展、可持續發展是實現碳達峰的重要理念和關鍵手段。深耕于半導體行業的制造+應用型公司，廣東場效應半導體有限公司誕生于國產半導體興起的千禧之年，我們致力于做國產優質半導體器件，錨定成為中國半導體領軍品牌。我們更是將創新、綠色融合進公司發展的基因里，歷經二十五載，歷久彌新，成為企業文化、企業發展最重要的組成部分。
場效應半導體（下稱Cmos）順應國家大是，深刻分析國家戰略，迅速響應國家號召，堅持創新、共贏的核心價值觀，守正創新，堅持打造綠色半導體產品，規劃并努力朝著實現綠色產業鏈閉環發展。
Cmos作為國產半導體知名企業，立足當下，綜合國內國際大環境，深入剖析行業現狀，勇于把握發展錨頭，提前入局并更新產品線，確立以DFN與TOLL這類封裝分離器和Dr+MOSFET的小型集成性器件是未來市場剛需。 在當下這個瞬息萬變的時代，朝夕之間，同一個產品即可完成更新迭代，唯有如此，才能定義市場，而不是被市場所定義。我們秉持誠信、務實的態度，深度開發應用市場，堅持品質至上，堅持為客戶尋求最大價值，屢戰屢勝，并在包括PLC工業控制，醫療器械，汽車ECU，無人飛機，智能家電領域獲得廣泛認可。
Cmos主要業務涉及整個半導體產品后道工藝鏈，面對這個重投資壟斷性高的鏈條模塊，我們一開始就確立創新是企業發展之靈魂。所以，時至今日，Cmos在分離半導體器件制造的包括平面工藝，溝槽工藝，SGT（Shielded Gate Transistor）工藝，SJ(Super Juncation)工藝方面具有多項專利，從向優秀的企業學習成長為自主定義市場，Cmos人不忘初心，砥礪前行實現這一步的跨越。
三、產品舉例
CMSA010N04是Cmos自己研發的柵極多層分割槽工藝制造的一款分離半導體器件。先進的封裝和制造工藝為器件提供了一個極低的導通內阻RDSON，在實際電路應用中明顯提高電能轉換效率。新一代增強型的體二極管工藝專為快速恢復應用環境而設計。理想的RSP特性和參數一致性，使該分離器件在組合結構應用電路中表現出出色的魯棒性。
封裝形式
基礎參數
核心優勢
CMSA010N04是一款低壓MOSFET,擊穿電壓BVDSS=40V，采用Cmos成熟的優化溝槽工藝制造。常溫條件下，源漏持續電流可達200A，具有很強的帶載能力。
CMSA010N04采用全新的通用的DFN5X6封裝形式，具有集成性高，且熱管理能力出色的特點。這種輕薄封裝為PCBA實現高集成度提供了材料基礎的同時使得擁有功能多樣性且穩定性高的設備實現量產。
在常溫環境中，CMSA010N04的飽和導通內阻RDSON不超過1毫歐，低阻值高能效比，在DC/DC BUCK-BOOST轉換電路具有很高的適配性?？刂奇I合工藝使得CMSA010N04具有較高的輸入寄身電容，使其在超高頻率的同步整流模塊中對高尖峰表現出理想的抑制作用。
試驗電路：電路為三相同步電機控制電路，負載為電動機。在非額定狀態如啟動狀態，失速狀態甚至在增加負載過程中會產生較高的尖峰電動勢，如果電路沒有做周全的尖峰抑制考慮（該電路沒有做功率開關管尖峰抑制電路），將會在開關節點產生高頻振蕩。過高的振蕩會增加損耗、加重EMI干擾，POL負電流保護，甚至擊穿芯片影響系統的穩定工作。
試驗結論：試驗中當把開關管換做具有不同CISS參數的MOSFET，隨著帶載能力增大具有較大CISS參數的開關管具有更出色的帶載能力。
試驗分析：實驗中負載功率增大，根據功率相關定理P=UI,在輸入電壓不變的情況下，增大電路電流I可以實現負載功率P的增大，增大電路電流意味著就要提高功率開關管的開關速度或者提高PWM信號的WIDTHDUTY，意味著將會增加開關節點的振蕩頻率且加重EMI干擾。通過試驗發現，CISS這項參數在改應用電路中在在重載條件下，對抑制振蕩頻率和降低EMI干擾有顯著的影響。
Cmos深耕于分離半導體器件的開發，目前分離半導體產品有MOSFET，晶閘管，IGBT功率模塊，78系列穩壓芯片，三極管和二極管等，以及我們具有強大的外貿儲備和外貿資源。
如需了解更多更詳細型號資料請聯系在線客服或登錄Cmos官網www.www.858558.cc可索取樣品和報價以及提供相關技術支持服務。
