CMH65R115P功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術，可以提供高效率。具有超結MOS的各種優點，可以很容易快速地應用到新的和現有的電源設計中。

CMF65R105使用Cmos先進的超級結技術，可以實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術可以提供高的效率。

CMD65R290功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術，可以提供高效率。

MH50N50采用先進的高壓平面MOSFET工藝制造，能在AC-DC應用中提供高水平的性能和魯棒性，抗沖擊能力強，易過EMC等測試。可以快速應用到新的和現有的離線電源設計中，特別適用于舞臺燈光電源等電路。

在現代電力電子設備中，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）作為集成電路核心控制器件之一，由于其低功耗、優越的響應速度，廣泛應用于應急電源轉換和電機驅動等電路中。