CMD8N50是廣東場效應半導體有限公司通過調研市場使用環境，有針對性的專門開發的一款高壓小電流型應用半導體器件。

CMSA035N06L是一款60V SGT(Split Gate Trench)工藝 N溝槽場效應管，其漏源導通電阻RDS(ON)最大僅有3.3MΩ，其中關鍵性能指標／品質因數（FOM）的優化降低使其自身能量傳送效率大幅提高。

CMD4932是廣東場效應有限公司推出的一款低壓P溝道溝槽型功率場效應管。CMD4932具有卓越的穩定性，已在無刷電機、LED燈控、汽車電子等行業得到廣泛應用。

CMF80R450P功率MOSFET，是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的超級結技術，實現非常低的內阻RDS(on)和柵極電荷QG。

CMF90R450Q功率MOSFET，是采用廣東場效應半導體有限公司（CMOS）先進的超級結技術，實現非常低的電阻和柵極電荷。