CMD65P02是采用Cmos先進溝槽工藝開發的一款P溝道低壓增強型場效應管,具有-20V漏源電壓（VDS）和-65A漏極電流（ID）（常溫條件）,具有抵抗高達-260A的脈沖電流的高性能抗沖擊性。

CMP107N20是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術工藝生產，具有優秀的導通電阻RDS(ON)，是高頻開關和同步整流的理想MOS，也非常適合用于電機驅動控制、電池管理、不間斷電源、逆變器電源等等。

CMSL025N12是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術和設計，提供非常優秀的RDS（ON），廣泛應用于負載開關、電池保護電路、UPS電源、能量逆變器電源、電機驅動等。是一款高效、可靠的優秀MOS管。

CMD30N10是采用Cmos溝槽工藝封測的一款N溝道增強型場效應晶體管。特點是，具有更低的閘間電容，擁有更優秀的開關特性，滿足超高頻率開關切換電路的應用。

CMSC1653是一款采用場效應半導體先進溝槽工藝開發的N溝道型MOSFET產品，其最大特點是具有卓越的優值系數（FOM）。